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Transistor MOSFET FQP30N06L Canal N 60V 32A TO-220

Descripción

Transistor MOSFET FQP30N06L Canal N 60V 32A TO-220

El transistor MOSFET FQP30N06L de canal N es un componente de potencia para controlar cargas de corriente continua mediante una señal aplicada a su compuerta. Su encapsulado TO-220 permite montaje de orificio pasante y acoplamiento térmico. Está diseñado para aplicaciones de conmutación, control de motores y fuentes de alimentación, respetando siempre los límites eléctricos y térmicos de su hoja de datos.

Características destacadas

  • MOSFET de canal N de enriquecimiento, apto para conmutación de potencia.
  • Tensión drenador-fuente máxima de 60 V, según hoja de datos.
  • Corriente continua nominal máxima de 32 A con temperatura de carcasa de 25 °C; requiere diseño térmico adecuado.
  • Resistencia RDS(on) máxima de 35 mΩ con VGS de 10 V e ID de 16 A, para reducir pérdidas de conducción.
  • Encapsulado TO-220 de tres terminales para soldadura de orificio pasante.

Especificaciones técnicas

ModeloFQP30N06L
TipoMOSFET canal N, modo enriquecimiento
EncapsuladoTO-220, 3 terminales
Tensión drenador-fuente (VDSS)60 V máximo
Corriente de drenador continua (ID)32 A máxima con TC = 25 °C; 22,6 A con TC = 100 °C
Resistencia de conducción (RDS(on))35 mΩ máxima a VGS = 10 V e ID = 16 A; 45 mΩ máxima a VGS = 5 V e ID = 16 A
Tensión umbral de compuerta1,0 a 2,5 V a ID = 250 µA; no indica conducción plena
Tensión compuerta-fuente máxima±20 V
Temperatura de unión-55 a +175 °C

Aplicaciones recomendadas

  • Etapas de conmutación de cargas DC con controlador adecuado.
  • Control de motores de corriente continua mediante etapa de potencia y protección.
  • Convertidores DC-DC y fuentes conmutadas dentro de los límites del dispositivo.

Compatibilidad y recomendaciones

Puede emplearse en proyectos con microcontroladores mediante una etapa de accionamiento de compuerta apropiada. La hoja de datos especifica la resistencia de conducción a 5 V y 10 V de VGS; el umbral de activación no garantiza funcionamiento pleno con señales de 3,3 V.

Verificar terminales Gate, Drain y Source, tensión de control, corriente real y disipación térmica. Utilizar disipador y protecciones de cargas inductivas cuando el diseño lo requiera. Los 32 A son una clasificación condicionada a la temperatura de la carcasa, no una capacidad continua sin disipación.

Contenido del paquete

  • 1 × Transistor MOSFET FQP30N06L TO-220
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